上海伯東 KRI 霍爾離子源 eH 2000

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上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri霍爾離子源eh 2000 是一款更強(qiáng)大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eh 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300v / 10a 或 15a
操作氣體: ar, xe, kr, o2, n2, 有機(jī)前體
kri霍爾離子源eh 2000 特性：
•水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
•可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時, 大限度地減少停機(jī)時間; 即插即用備用陽極
•寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 iad 效率
•多用途 - 適用于 load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
•高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
kri霍爾離子源eh 2000 技術(shù)參數(shù)：
型號
eh 2000 / eh 2000l / eh 2000x02/ eh 2000 leho
供電
dc magnetic confinement
- 電壓
40-300v vdc
- 離子源直徑
~ 5 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)
模塊化
電源控制
ehx-30010a
配置
-
- 陰極中和器
filament, sidewinder filament or hollow cathode
- 離子束發(fā)散角度
> 45° (hwhm)
- 陽極
標(biāo)準(zhǔn)或 grooved
- 水冷
前板水冷
- 底座
移動或快接法蘭
- 高度
4.0'
- 直徑
5.7'
- 加工材料
金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體
- 工藝氣體
ar, xe, kr, o2, n2, organic precursors
- 安裝距離
16-45”
- 自動控制
控制4種氣體
* 可選: 可調(diào)角度的支架; sidewinder
kri霍爾離子源eh2000 應(yīng)用領(lǐng)域：
•離子輔助鍍膜 iad
•預(yù)清洗 load lock preclean
•預(yù)清洗 in-situ preclean
•direct deposition
•surface modification
•low-energy etching
•iii-v semiconductors
•polymer substrates
1978 年 dr. kaufman 博士在美國創(chuàng)立 kaufman & robinson, inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. kri 離子源廣泛用于離子清洗 pc, 離子蝕刻 ibe, 輔助鍍膜 ibad, 離子濺射鍍膜 ibsd 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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