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半導(dǎo)體和封裝
半導(dǎo)體的焦點(diǎn)通常集中在工藝節(jié)點(diǎn)本身，而封裝則成為現(xiàn)代半導(dǎo)體中一個(gè)往往受到忽視的推動(dòng)因素。終，硅芯片僅僅是需要電源和數(shù)據(jù)互連的更龐大系統(tǒng)的一部分。從這個(gè)角度來看，封裝提供了處理器和主板之間的物理接口，主板則充當(dāng)芯片電信號和電源的著陸區(qū)。封裝使更小的封裝成為可能，ic封裝測試廠，從而能夠容納更大的電池，通過使用硅中介層集成高帶寬內(nèi)存 (hbm)，實(shí)現(xiàn)了類似的電路板尺寸縮減。隨著行業(yè)傾向于使用小芯片構(gòu)建模塊的異構(gòu)設(shè)計(jì)范例，平臺(tái)級互連變得非常重要。
開發(fā)應(yīng)用為廣泛的是fbga和qfn等，主要用于內(nèi)存和邏輯器件。csp的引腳數(shù)還不可能太多，從幾十到一百多。這種高密度、小巧、扁薄的封裝非常適用于設(shè)計(jì)小巧的掌上型消費(fèi)類電子裝置。wlcsp此封裝不同于傳統(tǒng)的先切割晶圓，再組裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測試，然后再切割。wlcsp有著更明顯的優(yōu)勢：是工藝大大優(yōu)化，晶圓直接進(jìn)入封裝工序，而傳統(tǒng)工藝在封裝之前還要對晶圓進(jìn)行切割、分類；所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進(jìn)行，半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備，設(shè)備測試一次完成，半導(dǎo)體封裝測試，有別于傳統(tǒng)組裝工藝。
晶圓級封裝分類：
晶圓級封裝方案是直接將裸片直接焊接在主板上，晶圓級封裝主要分為扇入型封裝和扇出型封裝兩種。扇入型封裝是在晶圓片未切割前完成封裝工序，銅陵封裝測試，即先封裝后切割。因此，裸片封裝后與裸片本身的尺寸相同。扇出型封裝是先在人造模壓晶圓片上重構(gòu)每顆裸片，“新”晶圓片是加工rdl布線層的基板，然后按照普通扇入型晶圓級封裝后工序，完成后的封裝流程。
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