SST39VF6401B-70-4I-EKE 閃存

該 sst39vf640xb 設備是4m x16 cmos 多功能閃存 + (mpf +) ，采用 sst 專有的高性能 cmos superflash 技術制造。與其他方法相比，分裂柵單元設計和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。sst39vf640xb 寫(程序或刪除)與2.7-3.6 v 電源。這些設備符合 jedec 針對 x16存儲器的標準引腳分配。sst39vf640xb 設備具有高性能 word 程序，提供典型的7微秒 word 程序。這些設備使用切換位或數(shù)據(jù) # 輪詢來指示程序操作的完成。為了防止意外寫入，他們有片上硬件和軟件數(shù)據(jù)保護方案。設計，制造和測試的應用范圍廣泛，這些設備提供了一個有保證的典型耐久性100,000周期。數(shù)據(jù)保存期超過100年。sst39vf640xb 設備適用于需要方便和經(jīng)濟的程序更新的應用,配置，或數(shù)據(jù)存儲器。對于所有系統(tǒng)應用程序，它們顯著提高了性能和可靠性，同時降低了功耗。與替代閃存技術相比，它們在擦除和編程過程中固有地使用更少的能源?？偰芰肯氖鞘┘与妷骸㈦娏骱褪┘訒r間的函數(shù)。由于任何給定的電壓范圍，超級閃存技術使用較少的電流來編程，并有較短的擦除時間，總能耗在任何擦除或程序操作是少于替代閃存技術。這些設備還提高了靈活性，同時降低了程序、數(shù)據(jù)和配置存儲應用程序的成本。superflash 技術提供固定的擦除和編程時間，與已經(jīng)發(fā)生的擦除/編程周期的數(shù)量無關。因此，系統(tǒng)軟件或硬件不需要根據(jù)替代閃存技術的需要進行修改或降級，因為閃存技術的擦除和程序時間隨著積累的擦除/程序周期而增加。為了滿足高密度、表面安裝的要求，sst39vf640xb 設備采用48導線 tsop 和48球 tfbga 封裝。請參見圖1和圖2中的小型作業(yè)。