黑碳化硅用途-宜春黑碳化硅-正拓磨料

黑碳化硅氧化的原因
黑碳化硅材料在普通條件下（如大氣1000℃-2000℃）具有較好的性能，這是由于在高溫條件下，材料表面形成了一層非常薄的、致密的、與基體集合牢固的sio2膜，氧在sio2氧化膜中的擴散系數非常小，宜春黑碳化硅，因此材料的氧化非常緩慢。材料在這種富氧條件下的緩慢氧化稱為惰性氧化。但在某些條件下，如在足夠高的溫度下或較低的氧分壓下，sic轉化為揮發(fā)性的sio2保護膜被環(huán)境腐蝕，黑碳化硅粒度，這將導致材料被快速氧化，即產生活性氧化。而硅材料在使用過程中經常會遇到這種環(huán)境。到目前為止，對材料在高溫、氧化氣氛中，黑碳化硅微粉用途，硅材料表面會生成致密的sio2膜，它的反應為：
sic 3/2o2→ sio2 co
sic 2o2 →sio2 co2
表層sic到sio2的轉變導致材料的凈重增加。這是惰性氧化的特性之一。但是研究表明，sic的早期氧化產物為玻璃臺態(tài)sio2膜。隨著氧化溫度的升高，黑碳化硅用途，約800~1140℃，玻璃態(tài)sio2膜發(fā)生晶化。相變將產生體積變化，這使得sio2保護膜結構變得疏松，進而同黑碳化硅基體集合不牢。這樣，其氧化保護作用驟減。另外，當黑碳化硅材料循環(huán)使用時，由于sio2在500℃以下熱膨脹系數變化較大，而基材的熱膨脹系數變化不大，這樣，保護膜與基材間熱應力變化較大，保護膜易。對于空隙較多的制品，如氮化硅結合材料，會發(fā)生晶界頸部氧化，產生的sio2導致晶界處體積膨脹，膨脹應力將會導致制品*：的惰性氧化會產生氣體產物，這將產泡現象，使sio2膜的氧化保護作用減小。
黑碳化硅出現氧化主要是由于高溫或低氧分壓的狀況下導致其表層被外界侵蝕且發(fā)生反應，所以為了保證其使用效果就需要我們在使用時嚴格把控溫度和環(huán)境等外界因素，從而確保材料的優(yōu)良屬性不會被*。
與普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高壓特性
碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍，碳化硅肖特基管耐壓可達2400v。碳化硅場效應管耐壓可達數萬伏，且通態(tài)電阻并不很大。
2、高頻特性
3、高溫特性
在硅材料已經接近理論性能*限的今天，sic功率器件因其高耐壓、低損耗、等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對于以往的si材質器件，sic功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為sic功率器件能否*普及的關鍵。
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黑碳化硅是以石英砂，石油焦和硅石為主要原料，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間，機械強度高于剛玉，性脆而鋒利。碳化硅(sic)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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